" 산화 공정 (Oxidation) " (1) 산화공정의 산화막 형성 방법 및 특성 웨이퍼 제조 공정을 거친 후 첫번째로 웨이퍼에 가해지는 공정 단계이다. 산화 공정은 말 그대로 실리콘 웨이퍼 표면을 물(H2O), 산소(O2)같은 산소원자를 이용해 '산화' 시킨다는 것이다. 이렇게 생성된 산화막은 (SiO2 : 이산화규소) 반도체 내에서 주요하게 사용되는데. 1. 전극산화막 (MOS 반도체 소자의 gate부 절연층 : gate insulator) 2. 소자의 분리/구별 (전기적인 간섭을 하지 못하도록 분리) 3. 웨이퍼상의 Si내부로 도핑물질의 확산이나 이온주입공정 (implantation)시 불필요한 이온주입 방지 4. 외부의 자극/스트레스/불순물에 대한 보호층 (passivation) 의 위와같은 용..
