J's 공부방

RF Sputtering 앞서 알아본 DC Sputtering 방식은 말 그대로 DC(Direct Current) 직류 전압을 걸어줬던 것이고. 또 부도체를 증착시킬 수 없는 이유도 DC 전압이였기 때문이다. (부도체의 유전분극) 이 문제점을 보완한 것이 RF (Radio Frequency) 전압을 사용하는 방식인데 이 또한 말 그대로 RF → AC (Alternating Current) 즉 교류를 사용하는 방식이다. 여기서 DC에서 RF로 바뀌었다고 해서 Sputtering 공정 원리 자체가 변하지는 않는다. 그냥 단순히 음극과 양극, 즉 Cathode와 Anode를 13.56MHz(초당 약 1350만번)의 속도로 바꾸어 줄 뿐이다. 이렇게 되면 앞서 말했던 DC Sputtering 방식에서 부도체를 ..

Sputtering (스퍼터링) 공정 앞서 소개했던 Evaporation 방식의 증착 공정은 공정상의 한계가 명확하므로 현대의 산업에선 잘 쓰이지 않는다. 이번엔 현대 산업에서 많이 쓰이고 있는 PVD 공법인 스퍼터링 (Sputtering)공정에 대해서 알아보겠다. Sputter이라는 영단어의 직역은 '탁탁거리는 소리' 이다. 이 의미를 공정에서 Target물질을 '탁탁' 쳐 내면서 증착시킨다고 생각하면 쉽다. Sputtering을 한 문장으로 표현하자면. "이온화된 가스 원자를 Target 물질에 충돌시켜 기판에 박막을 형성하는 공정" 혹은 "높은 에너지를 갖는 이온을 고속으로 Target에 충돌하여 떨어져 나오는 금속 입자를 증착하는 공정"이라고 할 수 있다. 이를 위의 gif에서 보자면 큰 빨간색 ..

2. 물리적 기상 증착 (Phisical Vapor Deposition / PVD) : 물리적인 힘에 의해 Target 물질을 기판에 증착시키는 방법. PVD 증착 방식으로는 크게 증발(Evaporation)방식과 스퍼터링(Sputtering)방식이 존재한다. 증발은 말그대로 Target물체에 열을 가해 증발시켜 기판에 그 물질을 증착하는 방식이고 스퍼터링은 Target물체에 Ar가스를 이용하여 이온화된 이온의 플라즈마 상태를 이용해 증착하는 방식이다. Thermal Evaporation (열 증착법) 먼저 증발(Evaporation)방법의 첫번째 방식이다. 방식의 이름 그대로 열을 이용해서 물질을 가열시키고, 증발된 물질이 기판에 붙어 증착되는 방식이다. (주로 단원소 물질을 증착하고자 할 때 사용한다..

박막을 증착하는 방법에는 크게 두가지, CVD(화학적)/PVD(물리적) 방식을 이용하는 방법이 있다. 항목 CVD (Chemical Vapor Deposition) PVD (Physical Vapor Deposition) 증착 원리 가스나 전구체의 전리 반응 물리적으로 박막 조성(이온 반응) 반응 온도 고온 (600~1000℃) 비교적 저온 (450~500℃ 미만) 하부막 접착력 우수 상대적 취약 증착 두께 두꺼운 막 조성 가능 CVD대비 얇음 계단 피복성 (step coverage) 우수 CVD 대비 취약 가격 보통 높음 공정 분류 AP CVD, LPCVD, PECVD, MOCVD 등 Ecaporation, Sputtering 등 (화학적 방법과 물리적 방법을 가르는 기준은 target 물질이 화학적 ..