J's 공부방

Doubling of gm Due to Doubling W/L 저번 포스트에서 알아봤던 Transconductance 값인 gm은 Gate의 전압이 변함에 따라 Vd가 바뀌는 정도를 나타낸다. 이 gm의 값이 크면 클수록 Amp로써의 증폭률도 커지는 것이기 때문에, 높은 gm의 값은 Amp로써 동작시키기에 좋은 소자로 볼 수 있다. 따라서 각 변수에 따른 gm의 비례값을 이용해 늘리는 방법을 보자면. 왼쪽부터 W/L , Vov, Id값이 상수로 취급되어질 때 다른 변수들로 나타난 gm의 값이다. 왼쪽의 두가지 수식만 보고 소자의 Amp로써의 특성을 인 gm값을 증폭시키기 위해 조작가능한 변수 Vov값과 Id에 관해서 보았을 때. 왼쪽의 수식은 Id에 대해서 gm이 루트값 만큼 비례하고, 우측 수식은 gm..

Channel Charge Density 앞선 포스트에서도 다뤘던 부분이지만 다시한번 짚고 넘어가면서 이해해보자. 단위 length당 W만큼의 부피에서 차지하는 Charge의 Density를 정량적 수치로 구하는 과정이다. 위에 표시된 식에서 보자면. 단위 Length당 W의 부피이므로 그 요소인 Length는 1로 분모에, 분자의 그 Charge의 양은 해당 W폭에 포함된 Charge의 양을 구해내면 되므로. Charge의 양을 구하기 위해 Cox로 표기된 산화물 (절연체 Insulator)이 가지는 Capacitance 양 (-> Gate와 Body에 작용되는 전기장 세기) 또한 문턱전압 Vth보다 얼마나 강한 전압이 걸렸는지에 따라 Channel의 두께가 결정되므로 Vgs - Vth의 값을 곱한다...