J's 공부방

박막을 증착하는 방법에는 크게 두가지, CVD(화학적)/PVD(물리적) 방식을 이용하는 방법이 있다. 항목 CVD (Chemical Vapor Deposition) PVD (Physical Vapor Deposition) 증착 원리 가스나 전구체의 전리 반응 물리적으로 박막 조성(이온 반응) 반응 온도 고온 (600~1000℃) 비교적 저온 (450~500℃ 미만) 하부막 접착력 우수 상대적 취약 증착 두께 두꺼운 막 조성 가능 CVD대비 얇음 계단 피복성 (step coverage) 우수 CVD 대비 취약 가격 보통 높음 공정 분류 AP CVD, LPCVD, PECVD, MOCVD 등 Ecaporation, Sputtering 등 (화학적 방법과 물리적 방법을 가르는 기준은 target 물질이 화학적 ..

" 산화 공정 (Oxidation) " (1) 산화공정의 산화막 형성 방법 및 특성 웨이퍼 제조 공정을 거친 후 첫번째로 웨이퍼에 가해지는 공정 단계이다. 산화 공정은 말 그대로 실리콘 웨이퍼 표면을 물(H2O), 산소(O2)같은 산소원자를 이용해 '산화' 시킨다는 것이다. 이렇게 생성된 산화막은 (SiO2 : 이산화규소) 반도체 내에서 주요하게 사용되는데. 1. 전극산화막 (MOS 반도체 소자의 gate부 절연층 : gate insulator) 2. 소자의 분리/구별 (전기적인 간섭을 하지 못하도록 분리) 3. 웨이퍼상의 Si내부로 도핑물질의 확산이나 이온주입공정 (implantation)시 불필요한 이온주입 방지 4. 외부의 자극/스트레스/불순물에 대한 보호층 (passivation) 의 위와같은 용..

0. 우리 사회에서 가장 중요하고 많이 사용되는 물질. '반도체'는 전 세계의 사람들이 살면서 못 들어본 사람이 없을 정도로 우리에게 유용하다. 특히 전자전기분야, 혹은 그냥 공대생이기만 해도 반도체라는 학문에서 자유로운 학과가 거의 없을 정도이다. 그만큼 중요한 반도체라는 물질. 그 물질을 공학자들이 어떻게 만들어 가는지에 대해서 알아보고자 한다. -반도체 8대 공정- 반도체 산업에 조금이라도 관심이 있거나 관련 학문을 배워봤다면. 반도체를 만드는 공정의 가장 큰 틀 8가지가 있다는 것을 들어봤을 것이다. 이를 우리는 '반도체 8대 공정' 이라고 부른다. 미세한 반도체를 만드는 과정은 흡사 건축을 하는 것 처럼 재료를 하나하나 쌓아 올려가는 과정이다. 먼저 자세한 공정의 기술들을 살펴보기 전에 큰 틀에..