J's 공부방

전 chapter에서 말했듯이, 전자회로에서는 Vcont 값을 조절해서 R을 변하게 하여 원하는 Current를 이끌어 낼 수 있는 Transistor 라는 소자를 활용해야 한다.이때 V=I*R 이라는 옴의법칙 정리가 활용된다.Current I는 시간당 움직이는 전하의 양즉, 전하의 이동 = Currnet (전류)전류의 정의에서부터, 전자회로에 우리가 원하는 Current 값을 흐르게 만드려면 그에 상응하는 Voltage를 걸어주어, Charge를 이동시켜야 한다는 것을 알 수 있다.그렇다면, Voltage가 인가되었을 때 Charge는 어떻게 행동하고 반응하는지 이해해야 Transistor를 만들어 전압을 통해 전류를 control 할 수 있게 될 것이다.Voltage를 인가했다는 것은 해당 물질 및 ..

전자회로에서 다루는 AMP는 Transistor 기반으로 만들어진 것을 말한다.이때 Transistor란 전자회로에서 BJT, MOSFET의 소자를 말하는 것이다.즉, BJT 혹은 MOSFET 소자로 만들어진 증폭회로 = AMP AMP(Amplifier) : 증폭기전자회로에서 말하는 증폭기란 input 값과 똑같이 생긴 형태의 Signal을 증폭하여 output단에 나타내 주는 것.이러한 AMP는 실생활에서 소리, 통신, 신호처리 등의 분야에서 모두 쓰인다 (일상 전자기기 모두에) 즉, AMP는 우리가 가지고 있는 Electronic Signal 중, 원하는 Electronic Signal만 가져올 수 있도록 도와주는Electronic Device라고 볼 수 있다.Electronic Device에 Ele..

Doubling of gm Due to Doubling W/L 저번 포스트에서 알아봤던 Transconductance 값인 gm은 Gate의 전압이 변함에 따라 Vd가 바뀌는 정도를 나타낸다. 이 gm의 값이 크면 클수록 Amp로써의 증폭률도 커지는 것이기 때문에, 높은 gm의 값은 Amp로써 동작시키기에 좋은 소자로 볼 수 있다. 따라서 각 변수에 따른 gm의 비례값을 이용해 늘리는 방법을 보자면. 왼쪽부터 W/L , Vov, Id값이 상수로 취급되어질 때 다른 변수들로 나타난 gm의 값이다. 왼쪽의 두가지 수식만 보고 소자의 Amp로써의 특성을 인 gm값을 증폭시키기 위해 조작가능한 변수 Vov값과 Id에 관해서 보았을 때. 왼쪽의 수식은 Id에 대해서 gm이 루트값 만큼 비례하고, 우측 수식은 gm..

Channel Charge Density 앞선 포스트에서도 다뤘던 부분이지만 다시한번 짚고 넘어가면서 이해해보자. 단위 length당 W만큼의 부피에서 차지하는 Charge의 Density를 정량적 수치로 구하는 과정이다. 위에 표시된 식에서 보자면. 단위 Length당 W의 부피이므로 그 요소인 Length는 1로 분모에, 분자의 그 Charge의 양은 해당 W폭에 포함된 Charge의 양을 구해내면 되므로. Charge의 양을 구하기 위해 Cox로 표기된 산화물 (절연체 Insulator)이 가지는 Capacitance 양 (-> Gate와 Body에 작용되는 전기장 세기) 또한 문턱전압 Vth보다 얼마나 강한 전압이 걸렸는지에 따라 Channel의 두께가 결정되므로 Vgs - Vth의 값을 곱한다...

Chap. Physics of MOS Transistors. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconduvtor-Field-Effect-Transistor) Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitor MOS는 한국어로 금속-산화물-반도체 라는 뜻으로. 그 구성요소에 대한 이름이다. MOSFET의 구조를 이해하고 동작을 따라가기 위해선 MOS를 흔히 알고 있는 Cap과 비교하여 이해할 수 있다. MOS는 위의 맨 왼쪽 그림과 같이. Conductive Plate, Insulator, P-Type Si (혹은 N type) 으로 구성되어 있다. 이는 마치 양쪽에 도체가 간격을 두고 떨어져 있고, 그 가운데에 부도체(절연체)가 들어가 Charge가 양쪽 도체(극판)에 ..