Electrical engineering
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cvd 2

증착 - PVD 스퍼터링 공정(RF/Reactive Ion Sputtering)

RF Sputtering 앞서 알아본 DC Sputtering 방식은 말 그대로 DC(Direct Current) 직류 전압을 걸어줬던 것이고. 또 부도체를 증착시킬 수 없는 이유도 DC 전압이였기 때문이다. (부도체의 유전분극) 이 문제점을 보완한 것이 RF (Radio Frequency) 전압을 사용하는 방식인데 이 또한 말 그대로 RF → AC (Alternating Current) 즉 교류를 사용하는 방식이다. 여기서 DC에서 RF로 바뀌었다고 해서 Sputtering 공정 원리 자체가 변하지는 않는다. 그냥 단순히 음극과 양극, 즉 Cathode와 Anode를 13.56MHz(초당 약 1350만번)의 속도로 바꾸어 줄 뿐이다. 이렇게 되면 앞서 말했던 DC Sputtering 방식에서 부도체를 ..

증착 - CVD 공정(The Film/Oxide Deposition - APCVD, LPCVD, PECVD, ALD*)

박막을 증착하는 방법에는 크게 두가지, CVD(화학적)/PVD(물리적) 방식을 이용하는 방법이 있다. 항목 CVD (Chemical Vapor Deposition) PVD (Physical Vapor Deposition) 증착 원리 가스나 전구체의 전리 반응 물리적으로 박막 조성(이온 반응) 반응 온도 고온 (600~1000℃) 비교적 저온 (450~500℃ 미만) 하부막 접착력 우수 상대적 취약 증착 두께 두꺼운 막 조성 가능 CVD대비 얇음 계단 피복성 (step coverage) 우수 CVD 대비 취약 가격 보통 높음 공정 분류 AP CVD, LPCVD, PECVD, MOCVD 등 Ecaporation, Sputtering 등 (화학적 방법과 물리적 방법을 가르는 기준은 target 물질이 화학적 ..

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